硅单晶电阻率标准片

 硅单晶电阻率标准片参照原美国NBS（现为NIST）的标准，以硅为原材料，通过特殊工艺研制而成的标称值不同的一套硅单晶电阻率标准片。本标准物质一般用于检定和校准制造和使用中的电阻率（方阻）测试仪。GBW13709—GBW13710则是用于校准扩展电阻测量系统的标准片。
      电阻率样片规格一般为直径2英寸（51mm）— 4英寸（100mm），厚度500m—650m的圆片（Wafer），包装为带标签的标准币式单片晶圆包装盒。扩展电阻样片规格一般为3mm×5mm矩形薄片，包装为带标签的独立自封袋。 硅单晶电阻率标准片(以下简称标准样片)是用高纯多晶硅,经过单晶设备,再经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的,具有一定几何尺寸的实物标准.由不确定度已知的标准装置,对该实物标准的电阻率及其他指标给予标定,使用时以标准样片为准,对相关参数进行量值传递.

 
标准样片的各项指标要求： 
 
 
 
标准样片的表面质量及几何尺寸：